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Littelfuse推出業界最小採用緊湊型表面貼裝封裝的3kA TVS二極體 (2025.09.25)
Littelfuse公司推出DFNAK3系列大功率TVS二極體。此系列緊湊型表面貼裝元件可提供 3 kA (8/20 μs) 突波電流保護，在極小空間內可提供最高的突波保護，非常適合在嚴苛環境中保護直流供電系統和乙太網路供電 (PoE) 應用 |
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Littelfuse推出業界最小採用緊湊型表面貼裝封裝的3kA TVS二極體 (2025.09.25)
Littelfuse公司推出DFNAK3系列大功率TVS二極體。此系列緊湊型表面貼裝元件可提供 3 kA (8/20 μs) 突波電流保護，在極小空間內可提供最高的突波保護，非常適合在嚴苛環境中保護直流供電系統和乙太網路供電 (PoE) 應用 |
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Nexperia新款1200 V SiC 蕭特基二極體適用於高功率密集基礎設施 (2025.07.11)
Nexperia宣布推出兩款1200V、20A碳化矽（SiC）蕭特基二極體—PSC20120J與PSC20120L，專為高功率密集型基礎設施設計，目標應用涵蓋AI伺服器叢集、電信設備與太陽能逆變器等對能效要求極高的電源系統 |
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Nexperia新款1200 V SiC 蕭特基二極體適用於高功率密集基礎設施 (2025.07.11)
Nexperia宣布推出兩款1200V、20A碳化矽（SiC）蕭特基二極體—PSC20120J與PSC20120L，專為高功率密集型基礎設施設計，目標應用涵蓋AI伺服器叢集、電信設備與太陽能逆變器等對能效要求極高的電源系統 |
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IXD0579M高壓側和低壓側閘極驅動器提供緊湊型即插即用解決方案 (2025.06.03)
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業技術製造公司，致力於為永續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出IXD0579M高速閘極驅動器積體電路 |
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IXD0579M高壓側和低壓側閘極驅動器提供緊湊型即插即用解決方案 (2025.06.03)
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業技術製造公司，致力於為永續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出IXD0579M高速閘極驅動器積體電路 |
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Microchip擴展maXTouch M1系列元件，支援汽車大尺寸、曲面及自由形顯示幕 (2025.02.21)
隨著汽車製造商透過整合大尺寸顯示幕及OLED（有機發光二極管）、microLED等新興技術打造智慧座艙，尋求將功能性與品牌標識完美融合，如何在更薄堆疊結構與更多觸控電極下實現可靠電容觸控成為關鍵挑戰 |
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Microchip擴展maXTouch M1系列元件，支援汽車大尺寸、曲面及自由形顯示幕 (2025.02.21)
隨著汽車製造商透過整合大尺寸顯示幕及OLED（有機發光二極管）、microLED等新興技術打造智慧座艙，尋求將功能性與品牌標識完美融合，如何在更薄堆疊結構與更多觸控電極下實現可靠電容觸控成為關鍵挑戰 |
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首款新型TPSMB非對稱TVS二極體為汽車SiC MOSFET 提供卓越的柵極驅動器保護 (2024.12.31)
Littelfuse今日宣布推出TPSMB非對稱TVS二極體系列，這是首款上市的非對稱瞬態電壓抑制（TVS）二極體，專門用於保護汽車應用中的碳化矽（SiC）MOSFET閘極驅動器。 這項創新產品滿足下一代電動車(EV) 系統對可靠過壓保護日益增長的需求，提供一種結構緊湊的單元件解決方案，取代了傳統用於柵極驅動器保護的多個齊納二極管或TVS 元件 |
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首款新型TPSMB非對稱TVS二極體為汽車SiC MOSFET 提供卓越的柵極驅動器保護 (2024.12.31)
Littelfuse今日宣布推出TPSMB非對稱TVS二極體系列，這是首款上市的非對稱瞬態電壓抑制（TVS）二極體，專門用於保護汽車應用中的碳化矽（SiC）MOSFET閘極驅動器。 這項創新產品滿足下一代電動車(EV) 系統對可靠過壓保護日益增長的需求，提供一種結構緊湊的單元件解決方案，取代了傳統用於柵極驅動器保護的多個齊納二極管或TVS 元件 |
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Microchip IGBT 7功率元件組合優化永續、電動出行和資料中心應用設計 (2024.11.13)
因應電力電子系統設計，功率元件不斷發展。Microchip推出採用不同封裝、支援多種拓撲結構及電流和電壓範圍的IGBT 7元件組合，具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的元件尺寸，旨在滿足永續、電動汽車和資料中心等高增長細分市場的需求 |
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Microchip IGBT 7功率元件組合優化永續、電動出行和資料中心應用設計 (2024.11.13)
因應電力電子系統設計，功率元件不斷發展。Microchip推出採用不同封裝、支援多種拓撲結構及電流和電壓範圍的IGBT 7元件組合，具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的元件尺寸，旨在滿足永續、電動汽車和資料中心等高增長細分市場的需求 |
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英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC (2024.10.28)
許多工業應用如今可以透過提高直流母線電壓以求功率損耗最低時，也朝向更高的功率水準。因應此需求，英飛凌科技（Infineon）推出CoolSiC蕭特基二極體2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立式SiC二極體，適用於直流母線電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10 A 至80 A，符合光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用 |
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英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC (2024.10.28)
許多工業應用如今可以透過提高直流母線電壓以求功率損耗最低時，也朝向更高的功率水準。因應此需求，英飛凌科技（Infineon）推出CoolSiC蕭特基二極體2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立式SiC二極體，適用於直流母線電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10 A 至80 A，符合光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用 |
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三菱電機新型MelDIR品牌80×60像素熱二極管紅外線感測器 (2024.10.24)
（Mitsubishi Electric）宣布即將推出一款新型MelDIR品牌80×60像素熱二極管紅外線感測器—MIR8060C1，其視野角為100°×73° ，為該公司現有熱二極體紅外線感測器的兩倍以上，*能夠準確、有效率地識別人和物體 |
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三菱電機新型MelDIR品牌80×60像素熱二極管紅外線感測器 (2024.10.24)
（Mitsubishi Electric）宣布即將推出一款新型MelDIR品牌80×60像素熱二極管紅外線感測器—MIR8060C1，其視野角為100°×73° ，為該公司現有熱二極體紅外線感測器的兩倍以上，*能夠準確、有效率地識別人和物體 |
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極體。Vishay器件採用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，有助於提升開關電源設計能效和可靠性 |
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極體。Vishay器件採用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，有助於提升開關電源設計能效和可靠性 |
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Nexperia汽車級肖特基二極體採用R2P DPAK 封裝 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二極管現已通過汽車認證PSC1065H-Q，並採用真正的雙引腳（R2P） DPAK （TO -252-2）封裝，適合於電動車和其他汽車的各種應用。此外，為了擴展 SiC 二極體產品組合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 額定電流為 6A、16A 和 20A 的工業級裝置-2 包裝有利於更大的設計靈活性 |
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Nexperia汽車級肖特基二極體採用R2P DPAK 封裝 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二極管現已通過汽車認證PSC1065H-Q，並採用真正的雙引腳（R2P） DPAK （TO -252-2）封裝，適合於電動車和其他汽車的各種應用。此外，為了擴展 SiC 二極體產品組合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 額定電流為 6A、16A 和 20A 的工業級裝置-2 包裝有利於更大的設計靈活性 |
