imec展示全球首次实验示范采用18nm导线间距的双金属层半镶嵌模组，强调窄间距自对准通孔的重要性，同时分析并公开该模组的关键性能叁数，包含通孔与导线的电阻与可靠度。

铜双镶嵌制程在业界长跑20馀载，能够稳定量产具备高可靠度的晶片内部导线。然而，随着元件面积持续紧缩，金属导线间距降至20nm以下，後段制程的电阻与电容（RC）因而大幅增加，加剧了电路传输延迟的问题。这就迫使相关产研单位去开发替代的整合方案与金属材料，优化窄间距金属导线的性能。

imec约在5年前首次提出半镶嵌制程的概念，作为替代铜双镶嵌制程的可行方案，用於1nm制程及其後续制程节点，整合不同金属层间的局部导线，实现互连。
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