imec展示全球首次實驗示範採用18nm導線間距的雙金屬層半鑲嵌模組，強調窄間距自對準通孔的重要性，同時分析並公開該模組的關鍵性能參數，包含通孔與導線的電阻與可靠度。

銅雙鑲嵌製程在業界長跑20餘載，能夠穩定量產具備高可靠度的晶片內部導線。然而，隨著元件面積持續緊縮，金屬導線間距降至20nm以下，後段製程的電阻與電容（RC）因而大幅增加，加劇了電路傳輸延遲的問題。這就迫使相關產研單位去開發替代的整合方案與金屬材料，優化窄間距金屬導線的性能。

imec約在5年前首次提出半鑲嵌製程的概念，作為替代銅雙鑲嵌製程的可行方案，用於1nm製程及其後續製程節點，整合不同金屬層間的局部導線，實現互連。
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