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可加速產品上市時程的DDRI/II信號品質測試
 

【作者: Agilent】   2004年09月03日 星期五

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隨著DDR儲存技術的發展,工程師在工作中涉及到DDR的機會也越來越多,更多的公司,包括晶片設計、DIMM和系統廠商,正面臨著性能驗證和測試的難題。除了產品互通性問題和信號品質,工程師甚至還需要結合EDA設計軟體模擬分析電路信號完整性。


由於DDR自身信號的複雜性,包括差動時脈信號,數十路Data Strobe(DQS)和Data(DQ)信號,每一路都有高阻(Hi-Z)、邏輯高(1)和低(0)三種狀態(Tri-State),再加上五六路控制信號,十幾路位址信號,使得其性能驗證和測試變得極具挑戰性。本文將介紹如何透過示波器的DDR測試軟體,確認問題產生時對應的具體時間/時序和信號品質,和如何運用安捷倫EEsof ADS先進設計系統EDA,進行電路設計和模擬。


傳統測試方式困難重重

時序驗證是DDR量測的關鍵之一,也是最困難的部分。在面對高速匯流排時,眼圖是最常用的信號完整性測試方法,但由於DDR信號本身的獨特性,傳統的「觸發-堆疊」方式不適用於DDR,導致很多工程師都已經放棄這樣的測試方式,其原因包括:


  • ●DQS與DQ為Tri-State,而Hi-Z通常處於眼圖中央,介於邏輯1和0之間,如(圖一)和(圖二a)所示,這使得眼圖常使用的mask方式不敷使用。


  • ●太大的示波器觸發抖動容易造成DQ信號眼圖量測不準確。以DDRII 667為例,10ps的儀器觸發抖動已經代表5%的量測誤差。


  • ●數位示波器連續兩次觸發擷取之間存在著dead-time(示波器正在進行資料處理,無法擷取任何信號),使得眼圖的任何兩個週期都是不連續的。


  • ●傳統示波器無法在眼圖模式任意設定觸發條件。舉例來說,當DDR為輕負載(light loading),在Write期間,DQ為一長串的1,DQS的快速上升緣會耦合到DQ信號上,造成最嚴重的SSN(同時切換噪聲)。這時需要使用脈衝寬觸發條件,才能擷取到狀況最差的眼圖。


  • ●儘管眼圖發現有違反,工程師依然無法確知問題產生時的信號品質和對應信號之時序關係。



《圖一 在金手指處測得的DQS/DQ電壓波形》
《圖一 在金手指處測得的DQS/DQ電壓波形》
《圖二 在不觸發Hi-Z的狀態下擷取眼圖》
《圖二 在不觸發Hi-Z的狀態下擷取眼圖》

問題解決方案

觸發/同步軟體

為解決上述的第一個問題,可採用一套觸發/同步軟體,讓示波器每次觸發在Read或Write週期上,而永遠不要觸發在Hi-Z狀態,可輕鬆捷取如圖二(b)的眼圖。



《圖三 DDR的Read Preamble和Write Preamble Specification》
《圖三 DDR的Read Preamble和Write Preamble Specification》

按照DDR規範(圖三),Read preamble介於0.9至1.1 Clock Cycle Time(tCK)之間,觸發/同步軟體能夠準確觸發在這個範圍上,同時採用重新定位處理技術,如下(圖四)所示,將兩次觸發的抖動誤差降到最低。這樣可以輕易的量測包括tAC、tHZ、tLZ(DQ)、tLZ(DQS)、tQH、tDQSCK和tDQSQ等指標性參數(參數定義請參考DDR規格)。


《圖四 特殊觸發/同步軟體,可把Read 週期眼圖隔離出來,並用重新定位技術將多次觸發造成的抖動誤差降到最低》
《圖四 特殊觸發/同步軟體,可把Read 週期眼圖隔離出來,並用重新定位技術將多次觸發造成的抖動誤差降到最低》
《圖五 DDR分析軟體可同時對Read & Write週期的時序進行測量》
《圖五 DDR分析軟體可同時對Read & Write週期的時序進行測量》

<註:mask起始點對應的是時序量測參考點,可以是任意信號的上升緣、下降緣或上升和下降緣。>


DDR分析軟體

圖四所示測量方法雖然比傳統方法優越,但仍然沒有解決之前所提到的dead-time問題,量測結果中不包含相鄰週期的資訊,(圖五)所用的量測方法是用全新的DDR分析軟體完成,它不僅可以完成時序的量測,同時支援mask測試,mask可以分為時序量測mask和信號完整性mask。 它首先讓工程師選擇量測的參考基準是那一個信號,是上升緣,還是下降緣,還是雙邊緣有效,然後選擇第二路信號,參考信號並不顯示出來,僅顯示參考時間點,它支援單次採集和離線分析,信號每一個週期的資訊都反映在量測結果中。


然而對DDR DIMM端的測試,上述方案仍然不盡理想,尤其是當工程師想將Write週期隔離出來時,因為DDR規格對write preamble 的定義(參見圖3)不是很嚴格,僅定義了最小值是0.25 clock cycle,沒有限制最大值,有些廠家提供的DDR晶片和DIMM,其write preamble和DQS的負脈衝寬度很接近,因此,無法保證該觸發/同步軟體可隔離出Write週期的眼圖。為此,安捷倫科技的DDR分析軟體進一步解決了這一問題。


ADS EDA

接下來將利用ADS EDA,來找出Read和Write週期信號的變化。(圖六a)是DIMM電路結構圖,紅色圓點代表連接器端,另一點是記憶體晶片接腳。



《圖六 DDR晶片外圍電路》
《圖六 DDR晶片外圍電路》

DDR DIMM模擬電路

圖六(b)是利用ADS先進設計系統EDA的DDR DIMM模擬電路,圖六(c)則是模擬結果。「DDR_Connector」代表靠近控制器的一端,如金手指,DDR-PIN指的是晶片接腳,在模擬軟體中,可以改變接到Vtt的上拉電阻值,圖六(b)是47Ohm,待測物也許用的是27Ohm;但無論電阻值選的是多少,在兩個測試點,得到的DIMM Read週期電壓幅值是不一樣的,而且很容易區分開來,但這兩點的Write週期信號幅值基本上是一樣的。


運用像ADS等的EDA軟體,不但能提早驗證設計,大幅提昇雛形成功率,工程師更可以利用軟體設計的優勢,嘗試不同的設計,提昇產品的競爭力。


以DDR分析軟體進行測試

當雛形製造完成時,即可運用DDR分析軟體開始實體測試。(圖七)所顯示的是針對DDR 400的信號完整性量測。在圖七(a)中,可以看到Data信號DQ41(綠色波型)和Data Strobe DQS5(黃色波型)在Read和Write週期時對應的時序關係。在Write週期時, DQS邊緣對應的是DQ的0或1。在Read週期時, DQS脈衝介於DQ的0或1上。


《圖七》
《圖七》

信號採集下來之後,DDR 分析軟體會根據Read & Write週期幅值的不同,將DIMM Connector端的Write週期數據和Hi-Z狀態濾掉,再根據精確定義DQS的參考電位,精確地隔離出理想的DQS信號對應Write週期的部分,然後將每個DQS Write邊緣(上升緣和下降緣皆有效)對應的DQ信號堆疊,最後形成如圖七(b) 所示的眼圖。與傳統眼圖過程相比,這裡的眼圖所有數據都是來自一次採集,因此沒有儀器自身抖動帶來的誤差,觸發條件可任意設置,更容易發現惡劣條件下對應的信號品質。更重要的是,當發現信號品質或信號時序有問題時(如圖七b),該分析軟體可以將波型整個展開,將問題定位到發生違反的bit(如圖七c),如此一來,工程師不但能知道眼圖違反發生的實際狀況,還能進一步研究違反前、後信號時序和品質。


結語

透過EDA、示波器和其他硬體的結合,工程師不但能以最快的方式完成設計,更能運用先進的DDR分析軟體完成實體驗證。ADS EDA讓工程師可以提早驗證設計,更提供驗證創新的設計概念的平台。DDR分析軟體,成功克服了DDR時序和信號品質分析量測的問題,DDR眼圖量測不但完全不受示波器硬體的觸發抖動和dead-time所影響,還能任意設定觸發條件找出最差的信號品質眼圖,當眼圖違反找到時,更能找到問題發生的那一刻,信號品質和對應信號之時序關係,讓工程師快速並有效的找出問題的根本原因,加速產品上市的時間。(本文由安捷倫科技提供)


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