近年SiC由于节能效果卓越，广为汽车或工具机等所采用，并可望有更大功率的产品阵容。而为了百分百活用SiC产品所具有的独特高速开关性能，在类似功率模组产品等额定电流大的产品方面，尤其需要研发新封装以抑制开关时突波电压﹙surge voltage﹚的影响。

半导体制造商ROHM于2012年3月率先开始量产由全碳化矽构成内建型功率半导体元件的全SiC功率模组。之后陆续推出高达1200V、300A额定电流的产品，广为各种不同领域所采用。本次使用新研究封装在IGBT模组市场中成功扩增涵盖100A到600A等主要额定电流范围的全SiC模组阵容，可望进一步扩大需求。
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