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雙載子積體電路的ESD保護設計
 

【作者: John Dolese】   2008年07月16日 星期三

瀏覽人次:【5259】

積體電路產品必須能夠避免受到靜電放電(ElectroStatic Discharge;ESD)的破壞,部分保護功能會內建於晶片內,部分則由外部的應用電路提供,為了有效進行積體電路的保護,我們必須考慮以下的幾個主題:


  • ●提供晶片所面對ESD的模型


  • ●晶片內部的ESD保護電路


  • ●應用電路與晶片內部ESD保護功能的互動


  • ●修改應用電路來改善晶片的ESD保護



晶片內部的ESD保護功能可以避免過高的能量進入較敏感的電路,內部的箝位電路可以避免晶片受到過電壓破壞,外部應用電路中的去耦合電容則可以將ESD電壓限制在安全的範圍內,但較小的去耦合電容卻可能會對晶片內部保護電路的運作造成干擾,因此在使用較小的去耦合電容時,可能需要加上外部的ESD電壓箝位保護。


ESD發送模型
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