貿澤即日起供貨安森美EliteSiC碳化矽系列解決方案

貿澤電子（Mouser Electronics）即日起供貨安森美（onsemi）EliteSiC碳化矽（SiC）系列解決方案。EliteSiC產品系列包括二極體、MOSFET、IGBT與SiC二極體功率整合模組（PIM），以及符合AEC-Q100標準的裝置。這些裝置經過最佳化，可為能源基礎建設及工業驅動應用提供高可靠度和高效能。

圖一 : 貿澤即日起供貨安森美EliteSiC碳化矽解決方案

再生能源和高功率工業應用需要高崩潰電壓（BV），1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC MOSFET就可以提供這樣的特性。NTH4L028N170M1的最大閘極至源極電壓（VGS）範圍為-15V至+25V，適用於閘極電壓達到-10V的快速切換應用，進而提高系統可靠度。

1700V EliteSiC MOSFET可在1200V、40A測試條件下實現領先市場的200nC超低閘電荷（Qg），在快速切換、高功率再生能源應用中具備很高的效率。
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