刷新（Refresh）在電子工程中主要有2個含意，一是DRAM將記憶資料存於電容內，時間一久資料將隨著電容電量的流失而喪失記憶，所以需要定期刷新來保留住資料；另一是顯示器的畫面更新，從每秒更新24個畫面、30個畫面，提升到60個畫面，每秒時間內更新愈多畫面則可使畫面抖動減少，觀賞者才能長時間觀賞、舒適觀賞，現在甚至開始朝每秒100張、120張畫面邁進。

無論是「記憶資料刷新」還是「顯示畫面刷新」，過往一直是呆板機械式的週期性刷新，但近年來已有所改變，為了達到更佳的省電節能效果，機械式刷新逐漸被揚棄，取而代之的是帶有智慧性的刷新機制，到底是如何智慧性？以下就來舉例說明。

首先是Mobile SDRAM，Mobile SDRAM主要是用於手持式裝置中，為了達到省電效果Mobile SDRAM採行一種獨特的刷新機制，稱為局部陣列自行刷新（Partial Array Self-Refresh；RASR），以往在未採行此種刷新法前，每次刷新都是將所有的記憶體晶片（記憶體顆粒）都進行刷新，然在導入RASR後記憶體每次能夠只以記憶庫（Bank）為單位來進行刷新，不用每次都是整體性刷新，如此就可以減少記憶體的整體功耗用電。

接著是JEDEC新訂立出的DDR3 SDRAM，DDR3 SDRAM採行一種溫度性的自行刷新（Self-Refresh Temperature）機制，即是在記憶體內埋設溫度感測器，當記憶體不斷進行刷新後，由於刷新會使記憶體溫度升高，同時也會增加功耗，一旦記憶體晶片的溫度高過事先的設定值後（例如：攝氏85度或95度）將會降低刷新動作的次數頻率，使記憶體有機會降溫，並且也藉此提升省電效益。

更簡單地說，即是刷新不再是整體空間性的刷新，也不再是固定時間性的刷新，刷新可以是局部性刷新，也可以是適時調節其刷新的週期頻率，如此記憶體將能比過去呆板機械式刷新更為省電。

記憶體如此，顯示器也相同，Intel的無縫式顯示刷新率切換技術（Intel Seamless Display Refresh Switch Technology；DRRS）技術，就是為了精省筆記型電腦的顯示器用電而提出。

所謂的無縫式切換，即是在不知不覺中進行切換，假設顯示器在正常使用時其畫面更新率為50Hz，此時若顯示器的畫面內容經常無變化、或變化相當緩慢，則更新率就會在不知不覺中切換成較低的40Hz，反之當畫面變化快速時更新率就會切換較高頻率，例如60Hz。

相較於過去，過去顯示器的更新率是固定的，除非使用者自行操作設定才能改變更新率，否則畫面刷新都會維持同一種頻率，而動態改變刷新率則是在不需要高速刷新時能降低刷新率，進而精省筆記型電腦的整體用電，讓筆記型電腦在外出時能有更長的使用時間。不過DRRS要如何偵測畫面內容的變動程度，就成為另一個設計議題。