英特尔晶圆代工（Intel Foundry）在2024年IEEE国际电子元件会议（IEDM）上公布了新的突破。包括展示了有助於改善晶片内互连的新材料，透过使用减材??（subtractive Ruthenium）提升电晶体容量达25%。此外，英特尔晶圆代工使用先进封装的异质整合解决方案，首次让吞吐量提高了100倍，实现超快速晶片对晶片组装。为了进一步推动环绕式闸极（GAA）微缩，英特尔晶圆代工也展示了矽RibbonFET CMOS和用於微缩2D FET的闸极氧化物模组的工作成果，可提高元件效能。

英特尔晶圆代工公布新突破

减材??这一新型材料，用於提升晶片内互连效能。这项技术通过减少光刻过程中的气隙排除区，使得线间电容可降低高达25%。这一创新有??在未来节点中替代传统的铜电晶体，并有效改善晶片的互连效能，从而应对微缩过程中日益增加的互连密度挑战。

为应对AI应用对吞吐量的需求，英特尔展示了选择性层迁移（Selective Layer Transfer, SLT）技术，这项异质整合解决方案能将吞吐量提升100倍。SLT技术使得晶片对晶片组装更加高效，并支持更小的晶粒尺寸和更高的功能密度，进一步提升了AI架构的效能和灵活性。

为了推动环绕式闸极（GAA）技术的微缩，英特尔展示了6奈米闸极长度的矽RibbonFET CMOS电晶体。这项技术突破了短通道效应，为闸极长度微缩提供了新的发展方向，支持未来半导体的进一步微缩。

同时，英特尔也展示了针对GAA 2D FET的闸极氧化物模组，这些成果将可能取代矽材料，并进一步提高二维半导体技术的效能，为未来的先进电晶体制程铺设基础。

英特尔进一步推进了氮化??（GaN）技术的研究，这项技术在功率电子和射频应用中具有显着优势。英特尔展示了业界首个300毫米氮化??技术，通过GaN-on-TRSOI基板设计，有效减少信号损耗，并提供更高的效能和更好的线性度，进一步扩展了氮化??在高效能电子产品中的应用潜力。

英特尔还提出了对未来半导体技术的愿景，强调先进封装技术、记忆体整合、以及混合键合技术在推动AI应用中的重要性。特别是在满足AI需求的背景下，记忆体整合将有助於解决容量、频宽和延迟瓶颈，而混合键合技术则优化了互连频宽。