经过十多年的沉潜，次世代记忆体的产品，包含FRAM（铁电记忆体），MRAM（磁阻式随机存取记忆体）和RRAM（可变电阻式记忆体），在物联网与智慧应用的推动下，开始找到利基市场。

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2017年5月，台积电技术长孙元成首次在其技术论坛上，由发表了自行研发多年的eMRAM（嵌入式磁阻式随机存取记忆体）和eRRAM（嵌入式电阻式记忆体）技术，分别预定在2018和2019年进行风险性试产，且将采用先进的22奈米制程。

研发这项技术的目标很清楚，就是要达成更高的效能、更低的电耗，以及更小的体积，以满足未来智慧化与万物联网的全方面运算需求。目前包含三星与英特尔都在研发相关的产品与制程技术。

嵌入式记忆体制程是在晶圆层级中，由晶圆代工厂把逻辑IC与记忆体晶片整合在同一颗晶片中。这样的设计不仅可以达成最隹的传输性能，同时也缩小了晶片的体积，透过一个晶片就达成了运算与储存的功能，而这对於物联网装置经常需要数据运算与资料储存来说，非常有吸引力。

以台积电为例，他们的主要市场便是锁定物联网、高性能运算与汽车电子等。

不过，目前主流的快闪记忆体因为采电荷储存为其资料写入的基础，因此其耐用度与可靠度在20nm以下，就会出现大幅的衰退，因此就不适合用在先进制程的SoC设计里。虽然可以透过软体纠错和演算法校正，但这些技术在嵌入式系统架构中转换并不容易。所以结构更适合微缩的次世代记忆体就成为先进SoC设计的主流。