意法半导体（STMicroelectronics，简称ST），和涵盖LED、碳化矽、光通讯、RF、滤波器和氮化??等产品之中国化合物半导体领导企业三安光电宣布，双方已签署协定，将在中国重厌建立一个新的8寸碳化矽元件合资制造厂。

新厂计画将於2025年第四季开始生产，并预计在2028年全面落成，届时将支援中国日益成长的电动汽车、工业电力和能源等应用的需求。同时，三安光电将利用自有SiC基板制程，单独建造和营运一个新的8寸 SiC基板制造厂，以满足该合资厂的基板需求。

该合资厂将采用ST的SiC专利制程技术，专注於为ST生产SiC元件，成为ST专用晶圆代工厂以支援其中国客户之需求。该合资厂建设总金额预计约32亿美元，包含其中未来5年的资本支出约为24亿美元，资金来源包括意法半导体和三安光电的资金投入、重厌政府的支援以及由合资企业向外贷款。

意法半导体总裁暨执行长Jean-Marc Chery表示：「中国的汽车和工业领域正朝向电气化全速前进，在此一市场，ST已经成功获得多项客户专案。对ST来说，与中国当地重要的合作夥伴一起成立一个专门的晶圆厂，将帮助我们以最高效的方式满足中国客户不断成长的需求。三安光电未来的8寸基板制造厂，加上双方新成立的前段合资制造厂，以及ST在中国深圳现有的後段制造厂相结合，ST有能力为中国客户提供一个完全垂直整合的SiC价值链。此举将成为继ST在义大利和新加坡持续重大的投资外，进一步扩大其全球SiC制造业务的重要一步。新合资厂将协助ST达到2030年SiC营收逾50亿美元的目标。这项计画亦与之前向金融市场传递之公司在2025年到2027年达成200亿美元以上的营收目标，以及相关的财务模式一致。」

三安光电执行长林科闯则表示：「该合资厂的成立将有助於推动SiC元件在中国市场广泛的采用。成为一家国际知名的高品质SiC晶圆代工企业，三安还将新建一个SiC基板工厂，专为新成立的合资厂提供SiC基板。这是三安光电朝向成为SiC专业晶圆代工厂之目标所迈出的重要一步。随着新合资厂的成立和新SiC基板工厂的产能扩张，我们有信心三安将继续在SiC专业晶圆代工市场占据优势地位。」

完成该专案之流程仍待监管部门审核。