自今年3月装机、6月试产后，DRAM厂力晶半导体昨日对外宣布，第一批试产0.13微米12吋晶圆良率高达80％，整体良率达50％。力晶半导体董事长黄崇仁指出，第一批试产晶圆成功，证明该公司已掌握12吋晶圆的制程设备，以及0.13微米DRAM产品的设计等，与全球DRAM同业相较，力晶创下全世界最快试产成功的纪录。

力晶表示，力晶已将首批12吋晶圆交付下游厂商封装测试，并送交客户验证的准备作业；力晶12吋厂以256Mb DRAM量产，采用更换金属线光罩（Metal Option）选择DDR、SDRAM版本的弹性设计，试产成功后将加速第四季量产投片进度，预计每月可达1万5000片产能。

力晶副总经理陈正坤指出，由于全球DRAM厂12吋晶圆制造经验有限，力晶试产也曾面临新设备成熟度不足，以及0.13微米光罩适用性等技术挑战，目前该公司逐步拉升整体良率，相信力晶将可快速完成前期试产程序。