工研院电子所与晶圆代工大厂台积电宣布签订「MRAM合作发展计划」，双方将延续过去三年在MRAM技术研发上的合作，进一步朝新一代的MRAM技术推进，以赶上IBM、摩托罗拉及三星电子等国际大厂的脚步。MRAM兼具DRAM、SRAM及Flash三类内存的优点，因而被半导体业界称许为「梦幻内存」。，

MRAM被视为可逐步取代DRAM产品的新一代内存，利用高敏感度的磁电阻材料所制造、具备非挥发特性， 具有高读写速度、高集积度、高耐久性、低耗电及抗幅射线等多项优势；此外，MRAM还可以与现有的CMOS制程整合，适合嵌入式的应用。ITRS（国际半导体技术蓝图）并于2002年底，将MRAM列为最有可能量产的下一代内存技术。

工研院电子所所长陈良基表示，电子所过去三年与台积电在MRAM的技术合作开发，有效地结合台积电前段制程技术及电子所的后段制程技术的优势，除了开发出MRAM单位及与CMOS制程整合之关键技术外，也将高密度与低功率的创新专利构想成功地实现在1 Kbit 的MRAM中，并在2004年12月于国际著名的IEDM技术研讨会中发表其成果。

台积电研发资深副总蒋尚义则指出，台积电与工研院电子所再度签约延续合作开发计划，除了继续各项组件功能改善与制程优化外，将结合其客户需求，进行量产阶段前的最后评估，并将进一步探讨并克服未来组件尺寸微缩时可能遭遇到的技术障碍，预期此项合作将使台积电率先成为世界MRAM先进技术拥有者与量产者。