D3 Semiconductor与贸泽电子签署全球分销协定

+FET MOSFET具有超低导通电阻(RDS-ON)，从32 毫欧到1000 毫欧不等，可获得低频应用中的改善性能，并帮助器件获得在短期内进行选通电极充电快速转换的快速切换能力。该系列中的每个器件都在生产过程中按照本行业的最高雪崩电流水准接受 100% 雪崩测试，以确保可为最苛刻的应用提供最佳解决方案。此系列器件还符合静电放电 (ESD) 性能的 JESD 22 标准，并且已接受超过 3,000

D3 Semiconductor宣布贸泽电子 (Mouser Electronics) 现已成为其全球分销合作伙伴。根据协定，贸泽电子目前储备D3 Semiconductor 的完整650 伏额定电压超结金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET) +FET产品线，该产品线在硬开关应用(例如在通讯、企业运算、不间断电源供应系统(UPS)和太阳能中使用的功率因数校正(PFC) 升压和逆变器)方面具有同类最佳性能。

D3 Semiconductor凭借改变功率器件的基因奠定了进入功率电子产业的标志。其产品开发将混合式讯号功能与高压开关器件组合在一起，提供最高产品可靠性以及使解决方案迅速适合各类应用的能力。除支援美洲和欧洲的电源市场外，D3 Semiconductor 还透过其附属公司 D3 Asia 进入亚洲市场。

D3 Semiconductor 全球销售与行销副总裁 Scott Carson 也表示：「贸泽电子的全球占有率和注重对设计工程工作的支援，与 D3 Semiconductor 的市场进入策略十分吻合。」

贸泽电子目前提供的D3 Semiconductor首批+FET 650 伏超结功率 MOSFET产品具有最高性能水准和可靠性。 D3 Semiconductor 产品组合中的每一个+FET 超结功率MOSFET均以650 伏节点为目标，有助于改进传统上由绝缘栅双极电晶体(IGBT) (例如逆变器和电机驱动器) 服务的应用功率密度。

贸泽电子目前提供的D3 Semiconductor首批+FET 650 伏超结功率 MOSFET产品具有最高性能水准和可靠性。 D3 Semiconductor 产品组合中的每一个+FET 超结功率MOSFET均以650 伏节点为目标，有助于改进传统上由绝缘栅双极电晶体(IGBT) (例如逆变器和电机驱动器) 服务的应用功率密度。