台积电内部透露，已利用4Mb SRAM为载具，成功完成各项制程设备的0.13微米铜制程试产，包括CVD、FSG与Spin On等3种不同的制程方式，良率都已达高水平。由于各项制程数据正在最后收集阶段，待完整的数据汇整后，台积电将于近期正式对外宣布。

台积电内部指出，联电完成的0.13微米 铜制程技术，载具是2Mb SRAM，台积电则是4Mb SRAM，联电5月份产出制程是采用FSG制程，而台积电3种不同的制程技术都已完成开发，且良率都已达高水平。