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CTIMES / Cvd
科技
典故
Internet的起源

组成Internet的两大组件,一是作为传达内容的本体—超文本,另一个是传输的骨干—网络,网际骨干可追溯到1968年的美俄冷战时期,当时美国国防部的DARPA计划发展出ARPANET,网页结构则是由超文件(Hypertext)演变而来。
延续摩尔定律 默克大力研发创新半导体材料 (2016.09.14)
摩尔定律正面临技术瓶颈,半导体业者微缩制程日益困难,先进的封装技术日益重要。看准此一机会,先进半导体材料供应商Merck(默克)近年来积极研发先进制程材料,且大举并购了AZ Electronic Materials(安智电子材料)、SAFC Hitech(赛孚思科技),以及Ormet Circuits ,以提供客户更完整的解决方案
Voltaix获得Intel Capital的1250万美元投资 (2008.07.31)
提高半导体芯片和太阳能电池性能的材料供货商Voltaix宣布,已经从Intel旗下的全球投资部门Intel Capital获得1250万美元的投资。这项投资将加速该公司制造能力的扩张。Voltaix制造整合电路晶圆厂的前段半导体制程所用的电子化学品和气体
百克拉超级人造钻石可能成真 (2006.07.11)
根据经济日报消息,中央研究院院士毛河光利用高压技术让「沼气变钻石」,希望在两年内研发生产一百克拉的人工钻石。毛河光表示,我们正处在钻石科技大革命的尖端,比拳头还大的钻石可能成真
应材CVD系统广受全球12吋晶圆厂采用 (2004.08.04)
国际半导体设备大厂应用材料宣布该公司Applied Producer化学气相沉积(CVD)系统已出货超过750套,这些客户并采用其黑钻石低介电常数(Black Diamond low dielectric)技术来进行沉积作业
应用材料新式CVD技术 适用65奈米以下制程 (2004.07.29)
半导体设备大厂应用材料宣布推出应用于65奈米及以下制程的化学气相沉积(CVD)技术Producer HARP(high aspect ratio process;高纵深比填沟制程)系统;该系统技符合浅沟隔离层(Shallow Trench Isolation;STI)和前金属介质沉积(Pre-Metal Dielectric;PMD)等制程设备所需之大于7:1高纵深比的填沟技术条件
半导体薄膜沉积市场复苏 (2002.07.24)
综合外电消息,整体薄膜沉积市场正如预期般复苏中,特别是新兴市场ALD(Atomic Layer Deposition;原子层沉积)最为显著。 根据Information Network指出,由于去年半导体产业景气低迷,连带使整体薄膜沉积设备市场仅达到34亿美元,整整衰退了46.1%,预计今年将有4%的成长率,整体市场可望成展至36亿美元
台积电完成0.13微米铜制程产 (2000.07.18)
台积电内部透露,已利用4Mb SRAM为载具,成功完成各项制程设备的0.13微米铜制程试产,包括CVD、FSG与Spin On等3种不同的制程方式,良率都已达高水平。由于各项制程数据正在最后收集阶段,待完整的数据汇整后,台积电将于近期正式对外宣布
浅谈Audio压缩技术发展现况 (2000.04.01)
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