随着微电子技术的发展，传统的Si和GaAs半导体材料由於本身结构和特性的原因，在高温、高频、光电等方面越来越显示出其不足和局限性，目前，人们已将注意力转移到SiC材料，这将是最成熟的宽能带半导体材料。

SiC既是科学家争先占领的高技术领域制高点，又是能带来巨大商业利益的战场。

身为第三代的半导体材料，SiC具有能带宽、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高，以及介电常数低、化学稳定性好等特点，成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波长发光及光电整合元件的理想材料，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体元件及紫外探测器等方面，都具有广泛的应用前景。

SiC优越的半导体特性，未来将可为众多的元件所采用。SiC拥有高温结构材料特性，目前已经广泛应用於航空、航天、汽车、机械、石化等工业领域。利用其高热导、高绝缘性，目前在电子工业中则是用於大规模整合电路的基板和封装材料。在冶金工业中则作为高温热交换材料和脱氧剂。目前SiC最为人所熟知知的仍然是作为理想的高温半导体材料。随着SiC半导体技术的进一步发展，SiC元件的应用领域也越来越广阔，成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的新热点。

正因为如此，SiC具有的优良特性、诱人的应用前景，及巨大的市场潜力，也势必将引来激烈的竞争。可以预料，它既是科学家争先占领的高技术领域制高点，又是能带来巨大商业利益的战场。

SiC膜层材料具有很大的发展潜力和应用前景，在现代工业的高速发展和技术水准的高度要求下，SiC膜层材料必将以其独特优势，在工业领域占据重要位置。但同时也必须注意，SiC膜层材料在未来的时间若要取得更进一步发展，并开始进行量产的脚步，还需要进行更多的技术研究和应用实现。因此，进一步加强理论研究、降低成本、提高材料质量，并持续进行实践探索，将是今後的工作重点。