甫於14日宣佈計畫延緩愛爾蘭半導體新廠投產期至2003年第3季的英特爾，16日又對外表示將延緩麻州Hudson晶圓廠內Module 4的5億美元擴建計劃。但英特爾強調該晶圓廠內另一10億美元的設備升級計劃將持續進行。

英特爾目前正在Hudson晶圓廠內Mod 2與Mod 3安裝0.18和0.13微米的製程設備，而Mod 2則已開始進行部分0.18微米的晶片產品生產。英特爾進一步指出，雖然晶圓廠的擴張減緩，但不會影響2001年度預定的75億美元資本支出計劃。