據金融時報報導，日本東芝公司董事長西室泰三6日暗示，東芝公司可能退出營運艱難的動態隨機存取記憶體(DRAM)市場。另一方面，華邦電八日表示，將與日商夏普簽約技術合作，共同開發可用於3G行動電話的128M、256M等高容量快閃記憶體，雙方預訂在2004年開始量產，推出新產品，華邦今天除合作案公布外，也對未來逐年降低DRAM產品比重，以及轉型成為純整合元件製造公司(IDM)進行說明。

西室泰三說：「我認為最壞的情況已經過去，明年年初過多庫存將出清完畢，需求也會復甦。」但西室泰三也承認，東芝公司的營運遭受衝擊。東芝公司的DRAM製造業務出現鉅額虧損，筆記型電腦銷售因戴爾電腦削價競爭而表現不佳。並且暗示，東芝公司可能退出DRAM市場。他說：「我們並不打算等到Hynix退出市場，如果有不錯的機會，我們可能會出售或結束DRAM製造業務。」

華邦則表示，目前公司在DRAM產品生產部份仍有兩座8吋廠，長期規劃將逐年減少DRAM比重。至於DRAM事業的投資，公司表示，將中止0.11微米以下堆疊(Stack)技術之開發。

德國億恆公司（Infineon）可能成為東芝DRAM製造部門的買主，但西室泰三明白表示，東芝將持續生產非DRAM晶片。東芝公司發言人7日也表示，該公司今年將要求1.2萬名半導體部門員工額外休假二到四天，每天支付員工90%的基本日薪。這次的額外休假措施，是該公司1974年以來首見。