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256Mb DDR與512Mb DDR爭霸
高容量市場開打,戰況一觸即發

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2001年12月17日 星期一

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動態隨機存取記憶體(DRAM)容量世代交替加速,德國億恆 (Infineon)指出,今年第四季將全面生產256M DRAM,預計明年初就將導入512Mb以及1Gb 以上的 DRAM 生產。

DRAM容量站上128Mb以後大約維持了近兩年的時間,但是在今年第三季因為價格快速下降的因素,許多製造廠商紛紛轉向更高容量的產品生產,希望能夠避開標準產品的流血戰爭。南亞科技也開始量產256Mb DDR-DRAM、力晶決定轉入生產 256Mb DDR,DRAM高容量市場將開打。

包括南亞科技、力晶半導體等,都轉向更高容量、更高效率的產品生產。南亞科技也開始量產256Mb DDR-DRAM、力晶決定轉入生產 256Mb DDR,DRAM高容量市場將開打。

轉型要生產DDR DRAM的力晶半導體,更是一開始就計劃切入256Mb DDR的生產,不在128Mb記憶體上纏鬥,預計明年第一季會有量產產品問世。南亞科技一開始就採用彈性生產製造,與億恆的技術同步。也就是生產線可以同時生產SDRAM以及倍速傳輸記憶體(DDR DRAM),兩者的製程有高達80%以上是相同的,只有最後的兩道製程不同。

億恆指出,一般DRAM從投片到產出的時間需要60天,但最近市場上的DDR DRAM以及256Mb SDRAM需求強勁,採用彈性製程,就可以在廠商交貨前大約一周的時間,在決定是要做SDRAM或是DDR DRAM,對於避開市場上的流血價格競爭,相當有幫助。

關鍵字: DRAM  動態隨機存取記憶體 
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