據南韓媒體報導，NAND型Flash龍頭大廠三星電子（Samsung Electronics）正積極由90奈米製程轉入70奈米製程，量產高容量4Gb NAND型Flash，而緊追在後的日本東芝（Toshiba）亦宣佈計畫於今年夏天導入70奈米製程科技投產8Gb NAND型Flash，兩大廠積極以先進製程拉大與其他NAND型Flash後進者的差距。

三星甫於2005年1月初宣佈成功導入70奈米製程科技投產4Gb NAND型Flash，不到1個月內又宣佈即將自3月開始，量產高容量4Gb NAND型Flash，與90奈米製程相較，導入70奈米製程量產後，可望為三星增加4成左右的NAND型Flash產能。此外三星也積極進行Fab 14廠12吋生產線裝機工作，預計自2005年7月將領先全球以12吋晶圓投產NAND型Flash。

三星目前主要以Fab 7與Fab 8作為生產NAND型Flash主力，估計在7月加入12吋廠Fab 14生產NAND Flash，該廠月產能約7000片，預估年底前可達到月產1.5萬片水準。三星計畫中，自3月初開始量產70奈米製程、4Gb NAND型Flash，預計在7月前，70奈米製程NAND產能可望分佔三星所有NAND產能10～15％。

市調機構iSuppli預估2005年全球NAND型Flash市場規模可望首度超越NOR型Flash，再加上全球消費性電子產品包括數位相機（DSC）、MP3、行動電話與PDA等市場需求，持續帶動NAND市場成長，三星與東芝兩大廠積極往70奈米先進製程邁進，其他競爭對手恐將望塵莫及。