Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系統單晶片 (SoC) 在台積電( TSMC) 2023 年歐洲技術研討會創新區榮獲「最佳展示」獎。

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CGD是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，專門開發多種節能GaN型功率裝置，旨在實現更環保的電子元件。CGD 的 ICeGaN 採用 TSMC 的 GaN 製程技術，已為全球客戶進入量產階段，將典型外部驅動電路的複雜性導入到單片整合的 GaN HEMT 之中。此概念能從 PCB 級減少元件數量，大幅提升功率電晶體和整個系統的耐用性與可靠性，同時使用者也能自行選擇所要的閘極驅動器與其耦合。

ICeGaN 為業界首創：可以用與 Si MosFET 一樣的方式驅動 GaN eMode HEMT。ICeGaN 靠著為市場帶來的產品差異化獲得認可，獲創新區參觀者評選為「最佳展示」，TSMC 每年都會在歐洲最大的活動中透過創新區為新創客戶展示最先進的產品。

CGD 執行長GIORGIA LONGOBARDI表示，CGD 對 TSMC 在高電壓 GAN 領域的領導地位給予肯定，相信他們擁有全業界最成熟且可靠的製程，這是選擇由TSMC為我們生產專有 ICEGAN 技術 SOC 的原因。因此很高興能獲頒 TSMC 這座寶貴的創新獎。

TSMC 歐洲分公司總經理PAUL DE BOT 表示「在此對 CGD 表示最熱烈的祝賀，其創新技術獲得認可當之無愧。TSMC 很高興與 CGD 合作，將其簡單易用的 650V ICEGAN GAN 電晶體大量供應給全球各個應用領域的公司，期待繼續與 CGD 在 GAN 功率半導體技術領域密切合作。