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ASML與imec成立High-NA EUV微影實驗室
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2024年06月05日 星期三

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比利時微電子研究中心(imec)與艾司摩爾(ASML)共同宣布,雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光(high-NA EUV)微影實驗室正式啟用,為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑(high-NA)極紫外光(EUV)曝光機原型TWINSCAN EXE:5000以及相關的製程和量測工具。

High NA實驗室內的TWINSCAN EXE:5000高數值孔徑極紫外光曝光機首次展示一次曝光完成超高密度的10奈米導線圖形。
High NA實驗室內的TWINSCAN EXE:5000高數值孔徑極紫外光曝光機首次展示一次曝光完成超高密度的10奈米導線圖形。

這座由ASML與imec共同成立的High-NA EUV實驗室宣布正式啟用,象徵著高數值孔徑極紫外光製程預備投入量產的里程碑—預計將於2025~2026年實現。imec與ASML把high-NA EUV原型機與相關工具(包含光阻塗佈與顯影機、量測工具、晶圓與光罩處理系統)開放給尖端的邏輯和記憶體晶片製造商使用,藉此協助他們在晶圓廠啟用high-NA EUV曝光機之前,先降低該技術的開發風險,並開發自有的應用案例。這些資源也會開放給材料商及設備商的廣泛生態系統,以及imec的高數值孔徑圖形化研究計畫。

為了讓0.55數值孔徑的EUV曝光機及基礎設施順利啟用,隨之而來的準備工作早在2018年展開積極部署。這段期間,ASML與蔡司(ZEISS)成功開發了high-NA EUV曝光機的專用解決方案,包含曝光源、光學元件、鏡頭變形、光罩場域拼接、縮短焦點深度、邊界放置誤差及疊對準確性。同時,imec與其廣泛的供應網絡緊密合作來籌備圖形化生態系統,包含開發了先進的光阻劑與塗料底層材料、光罩、量測及檢測技術、(變形)成像技術、光學鄰近修正(OPC)、整合光罩圖樣及蝕刻技術。

最近,這項籌備工作完成了首次曝光顯影,第一次成功在荷蘭費爾德霍溫利用0.55數值孔徑EUV曝光機原型,在金屬氧化物光阻劑(MOR)上形成排列密集(間距為20奈米)的10奈米導線圖形。

imec執行長Luc Van den hov表示:「高數值孔徑極紫外光技術是光學顯影技術的下一個里程碑,可望一次曝光就能完成間距為20奈米的金屬導線或間隔圖樣,並有助於打造出新世代的動態隨機存取記憶體(DRAM)。相較於目前採用多重圖形化的0.33數值孔徑EUV製程,這將能改良產量,並縮短生產週期,甚至是二氧化碳排放量。因此,這項最新的顯影技術會是推動摩爾定律邁向埃米(angstrom)世代的關鍵推手。運用這台high-NA EUV曝光機原型,我們迫不及待想要在現實生活中探索這些性能。對imec及我們的夥伴來說,這座High NA EUV顯影實驗室將成為我們比利時魯汶12吋晶圓無塵室的虛擬延伸,讓我們進一步改良圖形化生態系統,並提升高數值孔徑極紫外光技術的解析度極限。」

ASML執行長Christophe Fouquet表示:「由ASML與imec共同建立的High NA EUV微影實驗室提供我們極紫外光設備的客戶、夥伴及供應商使用高數值孔徑極紫外光系統的機會,讓他們在等待自家系統於廠房啟用時可以先行開發製程。這種盡早投入生態系統的作法獨一無二,還可能大幅加速這項技術的學習進度,並協助將其順利導入製造階段。在這段過程中,我們致力以高數值孔徑極紫外光技術與客戶建立合作並提供協助。」

關鍵字: imec 
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