先進積體電路設計的廠商－新思科技，和半導體製造大廠，聯華電子（UMC），20日宣佈將共同開發一組測試晶片，用來研究設計晶片在面臨聯電0.13微米Fusion製程技術時的訊號整合效應．這顆名為ATG－SI的測試晶片，內含研究多重超越電壓，電感效應和設計模組萃取的測試架構．這顆晶片也測試其它訊號整合方面的相關效應，包含影響現今高效能系統單晶片之性能和可靠度的交互雷容和雜訊分析．新思科技和聯電雙方都承諾將著重於滿足將來以0.13微米及以下銅製程量產晶片的數位、類比、射頻和混合訊號設計工程師的需要．

新思科技先進科技團隊副總裁Don MacMillen表示，「分析和解決系統單晶片的訊號整合問題是在深次微米科技裏眾多困難工作當中的一環，新思科技和聯電將分享彼此的分析數據，新思也將運用這些分析結果來開發EDA工具的分析和模擬解決方案，聯電也可以因此更容易提供他們的深次微米製程技術給現今最有經驗的設計工程師。」

新思表示，利用聯電0.13微米Fusion的製程技術，ATG－SI這項多功能的測試晶片，可以用來計算出頂層厚銅導繞線全區訊號排的交互電感數據，而這項銅導製程則是運用標準趨動接收組和全區差動訊號的技術．測試晶片中包含相互交感電容試驗的延伸矩陣，用來探討在整體時序路線中，對侵略訊號和感應訊號在切換邊緣間時序差異的影響．這顆晶片也比較兩個擁有相同功能區塊間的時序，漏電流和切換電流：這兩個區塊中，一個是以低超越電壓的元件所組合而成，另外一個則是利用低超越和高超越電壓的雙重元件來完成高階合成的工作．當設計工程師摒棄低超越電壓元件庫而採用高超越電壓元件庫時，他們很滿意這顆晶片在低漏電功率方面上的表現．它允許設計工程師達到比較模擬效應和真實結果的目的，以在晶片性能與漏電功率之間做取捨．

聯電總經理及中央研究暨發展部門的首長Frank Wen表示，「身為一個先進製程發展和製造的領導廠商，聯電將持續尋求方法，務使極度複雜和精密的晶片製造更趨容易。與新思科技結盟，提供訊號整合技術，將非常有助於我們彼此共同的客戶朝0.13微米及以下的製程方向發展．因此，我們十分期盼能夠將於測試晶片中所得到的數據，運用在我們的製程技術當中。」