外電報導，三星電子計劃在2003年底～2004年投資3兆～4兆韓元（約24～32億美元），以增設Fab12與Fab13的12吋晶圓生產線。三星預計到2004年中旬，該公司12吋晶圓月產能可達4萬片以上，分別為英飛凌（Infineon）、台積電、聯電與爾必達（Elpida）等半導體大廠的2～5倍。

南韓業界相關人士表示，三星預定2003年10～11月將Fab12 Phase2設備裝機完成，月產能1.2萬片；同時將Fab13投資時間點，提前至2004年第一季末，計劃投資3兆韓元，將製程技術由0.13微米製程，升級至0.10微米製程，月產能約為1萬片。若生產線全面運轉，Fab11月產能7000片，Fab12月產能2.5萬片，Fab13月產能1萬片，基此，三星12吋晶圓月產能可望達4～5萬片。

南韓設備業界相關人士表示，三星Fab12 Phase1將從這個月導入量產；而三星之所以對12吋生產線進行大規模投資，其理由在於全球DRAM市場景氣逐漸復甦，加上三星將既有第六、七、八生產線，轉產非記憶體，導致記憶體產量減少所致。