台積電向45奈米製程跨出大一步，台積聞名全球的「浸潤式曝光顯影技術」已經達到量產能力，台積電宣布，十二吋晶片測試時，晶片缺陷已經可以降到七個，缺陷密度低到每平方公分0.014的程度。

/news/2006/02/23/2007358885S.gif

「浸潤式曝光顯影技術」是台積電獨步全球的技術發明，由於在45奈米以下的先進製程需要更精密的顯影技術，否則無法準確進行光罩蝕刻等程序。昨日台積電宣布克服「浸潤式曝光顯影技術」目前的困難，缺陷度趨近於零，可說為45奈米製程裝配了重要武器。

由於在高階先進製程中，曝光顯影技術必須更細微、更精確，才能配合越來越小的導線、元件配置作業，曝光時所採用的光波長就必須縮短，否則無法推進到更小奈米數的製程，這是包括IBM在內，所有半導體業者對未來感到不確定性升高的原因，目前學界仍常有專文辯論32奈米製程是否真的可行。

台積電宣布將相關技術推進到只剩七個缺陷，在測試過程中，甚至發現僅有三個缺陷的十二吋晶圓，大幅增加晶片製作過程中的良率。