半導體設備大廠應用材料宣布推出應用在12吋晶圓製程的Reflexion LK電化學機械平坦化（Ecmp）系統，該公司在原有的Reflexion LK平台上，採用創新的Ecmp技術，使這套系統成為業界第一個可在65奈米及往後的銅製程與低介電常數製程上，提供高效能、符合成本利益和可延伸解決方案的化學機械研磨（CMP）的應用設備。

應材發表的新系統採行三種研磨頭優勢，整合了Ecmp製程，並藉由電解改變，高速清除（＞6000埃/每分鐘）大量銅層，毋需仰賴研磨下壓壓力（downforce）。此種技術特別適用在易受損的超低介電常數薄膜，並可以使先進的銅質雙崁（dual damascene）結構平坦化，且將淺碟化、氧化物過蝕和缺陷均降至最小（＜0.1/cm2），使磨耗量的成本大幅度降低，低成本的電解液也取代了昂貴的銅研漿。所殘留薄且均勻的銅薄膜以及阻障層/線層材質，均能以極低的下壓壓力有效地移除。

為促進提升性能，Reflexion LK Ecmp系統具備的製程控制特色包含專利整合的iMap徑向掃描技術，可提供機台薄膜進入時薄膜厚度的剖面資料，以利精確地控制銅層的清除剖面和終點偵測。增強版的CMP後製程的清洗技術，特別針對清洗低介電常數的疏水性（hydrophobic）薄膜所設計，可補強Ecmp製程，並提供一連串完整的全乾燥製程。

應材平坦化與電鍍產品事業群總經理奚明（Ming Xi）表示，以65奈米為起點，成功的平坦化技術需要低剪壓力，以因應脆弱的低介電常數材質，以降低淺碟化及蝕化。應用材料這套Reflexion LK Ecmp系統除可達成以上目標，與傳統的銅製程拋光系統相比，也可提升25％生產力並降低30％的營運成本。