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AMD 發表電晶體及記憶體儲存格架構的突破性研究成果
 

【CTIMES/SmartAuto 蘇沛榕 報導】   2002年12月13日 星期五

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美商超微半導體(AMD) 將會在今年12月8日至11日在美國舊金山舉行的國際電子技術會議(IEDM) 上公佈多項對開發新一代電晶體及記憶體儲存格有關鍵作用的新技術。新技術的公佈再次證明AMD 在半導體研究及開發方面的領導地位。相關的研究成果最快可望於2005 年應用到新產品之中。

AMD 製程技術開發副總裁Craig Sander 表示:AMD 的實驗室正在全力開發新一代的電晶體及記憶體技術。新技術的完善及推出將確保我們客戶的產品可以發揮前所未有的效能及聯繫能力,也確保他們的產品比以前更容易使用。

美商超微半導體表示,新一代的電晶體AMD 將會在國際電子技術會議上發表三篇技術論文,簡要介紹AMD多年來研發新一代電晶體架構的最新成果。電晶體是微晶片的主要功能部分,基本上屬於微型開關,利用「閘門」這種微型開關控制電流的開關。AMD 將會公佈這項嶄新電晶體研究的最新成果。這項研究是AMD 與美國加州大學柏克萊分校的一個合作研究項目。新的電晶體可能會取代目前的平面電晶體,成為業界標準的高效能邏輯晶片。這種嶄新的電晶體在微晶片業界稱為「鰭式場效電晶體」(FinFET),其架構特色是採用一片魚鰭型的垂直矽片,將電晶體閘門由一個增至兩個,以便流入電晶體的電流可以提高一倍。這個設計可改善電晶體的開關效能,因此是一個高效率而又實用的設計,不但有助提高效能及縮小電晶體體積,而且更確保可以沿用目前的方法進行量產。

關鍵字: AMD(超微Craig Sander  微處理器 
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