Epion Corporation為氣體團簇離子束（Gas Cluster lon Beam；GCIB）設備開發商，日前與代理商帆宣系統科技合作，推廣透過GCIB新的製程技術而開發出來的離子植入儀器－nFusion，功能在於使矽晶圓的摻雜過程（Doping）中，能夠擺脫過去以單離子植入的方式混合矽晶圓，透過nFusion能讓離子變成離子團，由離子團植入進行混合的優點在於分佈較平均，並且可以讓混合層更貼近表面，Epion 市場部副總裁Wes Skinner表示，因為目前半導體的目標是越來越小，所以混合層也要越來越淺。

Epion市場部副總裁Wes Skinner

CGIB 是一種室溫加工技術，其獨特功能是能夠劇烈改變晶圓表面上原子層。這樣就能完成奈米級的表面化學以解決尖端的晶圓摻雜和澱積問題。nFusion系統的應用包括使用含硼團簇來製造超淺接合（USJ），使用硼鍺（B-Ge）團簇來增強淺接合，或澱積高品質的矽鍺或鍺層。nFusion摻雜系統能夠形成半導體奈米技術節點需要的「盒狀」摻雜分佈圖，表現出陡峭剖面而且沒有能量污染。這是以高吞吐量完成的，完全不同於傳統離子注入的效能。

nFusion能讓離子呈現植入（infusion）擴散效果，如果是單一離子，在植入矽晶圓時，會呈現類似皮球往下丟的狀況，來回跳動且不易控制深淺度，而nFusion讓離子變成離子團，往下植入時是以擴散的方式，就像球用球袋綁住，能夠穩定控制深淺度，並且讓離子團只停留在表面。

Wes Skinner進一步指出，目前Epion是業界內唯一能夠提供180mA等效氣體團簇離子束的公司，而重點發展的市場在需要高階製程的地區，例如北美、日本與台灣。nFusion可以用等效180mA的束電流產生能量極低的離子束，與傳統離子注入相比，更適合低能量注入。透過nFusion的高吞吐量實現非常高的摻雜劑量，同時仍距表面很近，從而保持在高品質的狀況下增加生產效率，摻雜成品率分析顯示，所有摻雜劑都留在矽裡，沒有摻雜劑由於晶圓清洗或外擴散而失去。

GCIB最早在90年代之前在學界就已受到注目，Epion到2004時才將之引進半導體製程技術。目前台灣是帆宣代理，在推廣的過程中，帆宣表示所遭遇到挑戰與所有半導體面臨新技術的挑戰一樣，如何整合入目前的生產流程？現在與台灣的晶圓廠之間還在研發試用階段，尚未得到採納。

隨著半導體製程的進步，儀器設備提供廠商也要不停提供新設備，才能達到「工欲善其事，必先利其器」的目標，而新設備的設計概念，可能來自學界或非半導體的領域，而GCIB這個概念是源自於物理學的離子團概念。當半導體市場大吹「整合風」的同時，除了商品、平台等利潤氣息濃厚的整合效應外，一個屬於設計意念上的整合，是否美麗了許多。