外電消息報導，韓國政府日前宣佈，將與三星電子及海力士合作，進行磁性隨機記憶體（Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory；MRAM)）的研發，以維持韓國在全球記憶體產業的領先地位。

據報導，這項合作計畫將由韓國負擔一半的成本，金額為240億韓元（約2,080萬美元），而三星與海力士則共同出資另一半。韓國政府表示，目前研發中心已安裝了12吋的磁性薄膜沈積系統，及其他晶片製造設備，相較於日本所使用的8吋沈積系統，韓國將更具優勢。

韓國半導體部門的官員表示，只要STT-MRAM技術順利研發完成，韓國有望在2015年時，掌握約45%的30奈米製程記憶體晶片市場，預估產值將達530億美元。此外，這個合作案將讓韓國掌握MRAM的基礎技術，並在半導體產業維持世界級的競爭力。

有鑒於Flash記憶體技術在耐用性與微型化的發展上困難重重，因此，多家業者已著手研發新一代的非揮發記憶體技術，包含相變記憶體(Phase-Change Memory;PCM)、FRAM與MRAM等，都是各家業者正積極研發的選項。而其中MRAM在性能與市場接受度上都有較佳的表現，因此有可能成為未來市場的主流方案。