根据集邦科技全球DRAM产出统计，九月份512Mb DDR2占全球DRAM总产出量比重已达35％，首度超越256Mb DDR的34％比重，所以若说DDR2已成为DRAM厂出货主流产品其实并不为过。如今国内DRAM厂看第四季景气还是乐观，但来自韩国、日本、台湾三地的十二吋DRAM厂产能仍全速开出，第四季不论是DDR或DDR2，供给过剩的压力将较第三季更大。

虽然市场认为三星、Hynix等韩国DRAM大厂会为了解决NAND闪存缺货问题，全速将DRAM产能移往生产NAND芯片，但九月份各家DRAM厂产出开出后，却发现DRAM及NAND芯片间几乎没有出现产能排挤效应。根据集邦科技统计，九月份全球DRAM产出量较八月份成长10％以上，达到6亿2800万颗256Mb约当颗粒，成长最多的地区就是来自于韩国，DRAM出货量月成长率超过20％。

三星、Hynix第三季的确扩大NAND闪存产出量，但为了维持DRAM位产出成长率及市占率上，二家公司并不是单纯只靠制程微缩增加产出，其实也着手提高十二吋厂投片量，如三星第六月才投产的十二吋厂Line14，Hynix五月才启用的新十二吋厂M10等，很大部份的产能还是集中在DRAM产品上，所以韩国九月份DRAM产出大幅成长，其实并不太令人意外。

此外，现货市场中芯片组缺货严重，但合约市场中芯片组缺货问题已获纾解，九月份新增的DRAM产出又多来自于三星、Hynix、尔必达等三家业者，所以这些新产出也多以512MbDDR2规格为主。集邦科技九月份的统计中就显示，512Mb DDR2占了全球总产出的比重已达35％，不但超过256Mb DDR，也让512Mb以上高容量DRAM产出比重逼近五成。