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TrendForce:第四季DRAM合约价二次下修2019年第一季跌幅持续扩大
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2018年12月04日 星期二

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根据TrendForce记忆体储存研究 (DRAMeXchange) 最新报告,今年第四季DRAM价格正式反转向下,11月合约价甚至出现二次下修的状况。以目前成交方式来看,已有部分比重的合约价改以月 (monthly deal)方式进行议价,预计2019年第一季DRAM合约价跌幅将持续扩大。

DRAMeXchange指出,以今年11月来看,4GB与8GB的价格除了高价仍有维持之外,在中低价都已调降,主流模组4GB的均价较10月的31美元滑落至30美元,跌幅3.2%;8GB亦同,均价由上个月的61美元滑落至60美元,跌幅1.6%。

观察今年第四季DRAM平均销售单有近8%的跌幅,其中以标准型记忆体、伺服器记忆体与利基型记忆体为最,季跌幅都接近10%;而行动式记忆体由於先前缺货时涨价幅度较小,因此第四季的跌幅相对较小,仅约5%。

展??明年第一季,DRAMeXchange指出,供给面较2018年第四季持续增加,主要来自於1Ynm制程良率持续改善、投入比重持续增加,以及三星平泽厂在今年第四季的持续增产;而每年首季都是传统需求淡季,加上2019年第一季智慧型手机的出货力道恐怕较往年更为疲弱,恐将造成行动式记忆体价格跌幅扩大。从整体DRAM价格来看,明年第一季跌幅较今年第四季更为显着恐怕是不可避免的状况。

供给增加、需求更趋弱化,DRAM整体市况持续走弱

以对供需状况最为敏感的标准型记忆体而言,受到供给面持续增加,需求端面临淡季影响,导致库存难以去化、第一季价格跌幅恐将扩大至10%以上;与标准型记忆体属性最为接近的伺服器记忆体,其价格跌幅恐怕更为显着,原因在於目前观察到伺服器记忆体买方的库存量偏高,而该领域除了受淡季影响外,中美贸易冲突战也增添不少变数。明年第一季出货状况恐怕较过往三年疲弱,尤其在32GB主流模组上,更能够明显观察到供应商积极砍价求售。

此外,占整体供货比例最大的行动式记忆体同样呈现下滑的走势。展??明年第一季,由於新一代iPhone的出货高峰已过,目前中国android机种在通路端的整机库存又已偏高,预料明年初厂商将积极进行库存去化,因此对於关键零组件的需求将非常有限,同时我们预估2019年智慧型手机生产数量将较2018年衰退2.6%,对行动式记忆体的位元需求将仅仰赖单机搭载容量的提升,导致行动式记忆体价格恐将持续下滑。

至於在消费性领域方面,第一季亦为传统淡季,且受到中美贸易冲突所造成总体经济不确定因素提升,价格下滑趋势不变。其中,DDR4受主流应用PC/server需求所牵动,跌幅恐更甚於DDR3。

關鍵字: DRAM  TrendForce 
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