记忆芯片产业的竞争加剧在即，东芝和三星皆传出调整记忆芯片生产线的消息。日经产业新闻报导指出，东芝试图使该公司NAND芯片的读写速度于明年提高一倍，用以增强东芝与龙头厂商三星电子竞争的实力，而三星电子同日对外宣布，拟斥资6370亿韩元（约合新台币208亿元）扩张包括NAND在内的记忆芯片产能。

另外，英特尔与美光也宣布，将成立一家NAND闪存合资企业，产品主要将用于消费电子产品、移动数据储存与可携式通讯设备。其产品主要将供应苹果使用。

三星表示，该公司计划在华城厂增添DRAM和NAND的生产线。三星曾于今年九月宣布七年资本支出计划，计划投入330亿美元（约合新台币1.1兆元）扩张半导体产能。

东芝所生产的NAND芯片之记忆单元系采用一项多层单元（MLC）专利设计，此一设计能让每个记忆单元储存二位的数据数据，容量是目前一般记忆单元的两倍，也就是说，采用前述设计，数据储存量一样的快闪芯片大小是一般快闪芯片的一半。

但前述MLC技术有个缺点，即数据数据读写速度因此减慢，由于购买录像照相机等电子产品的消费者较注重速度，如此一来，东芝的快闪芯片恐怕竞争力不足，为此，东芝决定重新设计MLC记忆单元，好让该公司快闪芯片的读写速度具备与三星快闪芯片较劲的本钱。

东芝目前贩卖的是70奈米制程NAND芯片，其读写速度为每秒6MB，东芝订于2006年推出55奈米制程NAND芯片，该公司并试图促新款芯片的读写速度达每秒12MB，即速度提升一倍。