Ramtron发表业界第一款400万位的FRAM内存，此并为密度最高的FRAM产品，容量为既有FRAM内存的四倍。FM22L16采用44接脚、薄型小尺寸塑料（TSOP）封装的3V、4Mb并列式非挥发性RAM，具备高访问速度、几乎无上限的读/写次数、以及低功耗等优点。以TI的130奈米CMOS制程为基础，在标准CMOS 130奈米逻辑制程内嵌入非挥发性FRAM模块时，仅采用两个额外的光罩步骤。

Ramtron新品发表会，业务副总裁Michael Hollabaugh居中(摄影/彦慧)

Ramtron全球资深业务副总裁Michael Hollabaugh表示，由于FRAM为新一代非挥发性内存，写入速度快速（类似RAM而非FLASH），高耐久性，在系统中不易磨耗，因为运用铁电内存运作模式，以电力控制内存，不需要高压电，非常省电。

FRAM内存结合了挥发性DRAM的快速存取及低功耗特性、以及不需电源即可保存数据的功能。EEPROM和闪存等其他非挥发性内存，由于必需以多个光罩步骤、更长的写入时间及更高功耗来写入数据，因此不适宜嵌入式应用。此外，FRAM的储存单元拥有尺寸小、及所增加光罩步骤最少之优点，针对嵌入式应用的FRAM可以低于SRAM的成本生产；FRAM功耗亦远低于MRAM，并且已能针对汽车、测量、工业及运算领域提供商业化应用。

Michael Hollabaugh指出，Ramtron于亚太区域的产品销售业绩，从2001至2006年，年度成长率达99％，而主要动力来自公用电表、汽车及RAID控制器应用，近期扩展其于中国、香港、台湾及韩国的业务据点。而除了兼顾亚洲市场外，还在中国设立了参考设计中心，研究将FRAM与MCU包含在一起，可以减少界面传输上消耗的时间。