英特尔于周二（9/22）的旧金山IDF上，首度展示了全球第一款整合SARM可运作的22nm制程的测试芯片，并重申追求摩尔定律 (Moore’s law) 实现的目标。

英特尔总裁暨执行长欧德宁(Paul Otellini)于英特尔科技论坛中首度展示以22奈米制程技术所制作的晶圆。 BigPic:500x411

这款22nm测试芯片电路中，包括了22nm微处理器将使用的SRAM内存和逻辑线路。在SRAM数组当中，运作的SRAM单元面积仅有0.108和0.092平方微米，此数组共计有3亿6400万位的容量。0.108平方微米的SRAM单元为低电压运作进行优化，而0.092平方微米的单元则为高密度运作进行优化，它是目前已公布之可运作芯片电路中最小的单一SRAM单元。测试芯片内包含29亿个晶体管，密度约为先前32nm世代的两倍，而其面积仅有指甲般大小。

英特尔表示，22nm技术的实现，是英特尔延续摩尔定律的承诺，并致力于让晶体管更小、每瓦效能更高，以及每个晶体管成本更低。目前英特尔已全面进入22nm技术开发状态，并将依时程，把该公司的「tick- tock model」 (钟摆发展模式)延伸到下一世代。

除了揭露22nm的技术外，此次IDF还展示了第三代high-k金属闸极晶体管技术。