蔚华科技与旗下数位光学品牌南方科技合作，共同推出业界首创的JadeSiC-NK非破坏性缺陷检测系统，采用先进非线性光学技术对SiC基板进行全片扫描，找出基板内部的致命性晶体缺陷，用以取代现行高成本的破坏性KOH（氢氧化钾）蚀刻检测方式，可提升产量并有助於改善制程。若以每个SiC晶锭需蚀刻2片基板来计算，JadeSiC-NK可为具有100个长晶炉的基板厂省下每年2.5亿因蚀刻而损耗的成本。

左起：蔚华科技总经理 杨??州、蔚华科技董事长 秦家??、光电科技工业协进会董事长 ??中和、技嘉科技董事长叶培城、南方科技董事长陈怡然、南方科技总经理 王嘉业

需求爆发 SiC基板与元件供不应求 唯KOH是高成本痛点

在现今环境永续意识抬头的全球趋势下，许多国家已制定电动车的阶段性政策目标，SiC晶片需求迅速爆发，尤其用於生产电动汽车使用的耐高温高压SiC功率半导体元件，供给量远远不及需求。

化合物半导体的基板材料品质决定下游晶片的可靠度及性能优劣，但SiC长晶速度较慢，且基板晶体缺陷只能以破坏性的KOH蚀刻方式进行抽样检测，使得SiC晶片制程成本居高不下，目前全球主要基板厂皆积极投资产能扩充并改善制程，加速产业布局以抢攻市占率。基板厂与元件厂若能在制程中对材料做全面非破坏性检测，不仅可减少原本KOH蚀刻的有害化学溶液使用量，更能及早发现问题，进而有效改善制程、提升良率，进而在化合物半导体市场中展现优势。

JadeSiC-NK以非线性光学检测取代现行破坏性KOH蚀刻 可降低成本提高产能

南方科技总经理王嘉业表示，目前市场上的光学技术只能检测表面非晶体缺陷，JadeSiC-NK系统采用先进的非线性光学技术，可对全片基板表面到特定深度进行扫描，反应晶体结构资讯，提供晶体缺陷密度及其分布状况，让客户有效掌握基板品质，未来生产出的元件品质与效能也能更加稳定。

王嘉业进一步说明，JadeSiC-NK非破坏性缺陷检测系统专注在稳定且有效地找出基板中的致命性晶体缺陷（BPD, TSD, MicroPipe, Stacking Fault），相较现行将SiC晶锭切片後取上下二片基板进行检测的KOH蚀刻方式，可大幅节省检测时间与基板成本。以每个长晶炉每月产出四个晶锭为例，采用JadeSiC-NK後，每个晶锭可省下二片基板成本（每片6寸基板以800美元计），因此可推估一个长晶炉每年可省下台币250万元，若是具有100个长晶炉的基板厂，一年即可省下台币2.5亿元！此外，JadeSiC-NK也可针对同一个晶锭进行100%的晶圆检查，进行详细的晶锭分析和批次追?分析，协助客户在高技术门槛的化合物半导体市场加速制程及产量优化。

国立阳明交通大学光电工程学系讲座教授郭浩中表示，蔚华与南方科技推出的JadeSiC-NK系统，将非线性光学技术应用在化合物半导体的检测分析，有助突破目前业界在量产及制程改善的技术瓶颈，对於产业链发展提供极大推力，期盼此系统能以更有效更稳定的检测方法，建立业界SiC基板检测标准。