台积电、联电及华邦电为提升半导体制程竞争力，今年首季研发(R&D)费用不断飙高，其中台积电创下24.4亿元新高，联电18.6亿元，华邦电也大幅增至8亿元，投入研发项目以0.13微米到0.1微米制程为主。

台积电公布，今年首季研发费用数字高达24.4亿元，比去年同期的8.6亿元，大幅增加181.6%，亦比去年第四季的13.5 亿元增加80.7%。按照张孝威的说法，台积电今年每季研发费用增加10亿元左右。

华邦电以往制程技术都以向东芝技术转转为主，去年加入东芝、富士通的制程研发联盟后，即投入大量资金，研发0.13微米到0.1微米制程，目前已进入试产阶段，对于未来的动态随机存取内存(DRAM)生产来说，可以大幅降低成本。

IC业者指出，以往台湾IC厂多半以技术转移的代工模式进行生产，去年下半年IC产业景气开始下滑，美、日大厂逐渐淡出生产及制程，而台积电、联电及华邦等厂正好利用此机会，大幅增加研发比重，希望取得新世代制程主导权。