帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
廠商競逐奈米製程 NAND Flash價格再跌
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2005年01月12日 星期三

瀏覽人次:【3512】

據業界消息,NAND型快閃記憶體(Flash)價格競爭激烈,記憶體業者為降低成本,將以奈米製程全面迎戰;市場龍頭大廠三星即宣佈已成功開發出63奈米的8Gb NAND Flash生產技術。而因每片晶圓產出量將因製程微縮而增多二成至三成以上,將再進一步壓低晶片價格,三星預估NAND Flash晶片價格2005年至少要再跌四成。

據了解,三星宣示2005年將透過調降價格、拉高晶片容量等方式,擴大在NAND Flash市場佔有率,並藉此將NAND Flash市場做大。而為降低成本因應價格競爭,所以三星本季起開始導入70奈米技術生產4Gb及8Gb晶片,並宣佈成功研發出63奈米的8Gb NAND生產技術,至於東芝、美光、Hynix、英飛凌、瑞薩(Renesas)等供應商,本季起也全面性以90奈米投產NAND Flash。

而隨著投入廠商眾多與製程微縮帶來的產能提升,在市場需求成長速度不如供給量成長速度的壓力下,將再進一步壓低NAND Flash價格。目前主流2GbNAND Flash晶片現貨價約16美元,市場預估至2005年中應會跌至13美元左右,至於4Gb NAND晶片價位現在約32美元,至年中應會跌至26美元。至於三星現階段則預估,NAND均價今年至少要再跌四成。

關鍵字: 三星(Samsung快閃記憶體 
相關新聞
Samsung與NTT Docomo合作AI研究 用於下一代行動通訊技術
IDC:2024第一季全球智慧手機出貨成長7.8% 三星重返第一
Ansys電源完整性簽核方案通過三星 2奈米矽製程技術認證
三星展示MICRO LED電視 模組化設計可依需求客制化
高通Snapdragon 8 Gen 2打入三星Galaxy S23系列
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 揮別製程物理極限 半導體異質整合的創新與機遇
» AI運算方興未艾 3D DRAM技術成性能瓶頸
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8B59OMZSWSTACUKZ
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw