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Imec發表高量子效率CCD-in-CMOS成像儀 加入近UV感測功能
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2018年11月06日 星期二

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奈米電子和數位技術研究與創新機構imec,在Vision 2018展覽會上,推出了一款基於電荷耦合器件(CCD)-in-CMOS技術的高速紫外線感應與時間延遲積分(TDI)成像儀。TDI成像儀在近紫外(UV)區域具有70%以上的量子效率,使其可應用於工業機器視覺,尤其是作為半導體製造過程中的檢測工具。

新型成像儀採用imec的TDI CCD-in-CMOS技術製造,該技術將CCD TDI像素和CMOS讀數結合在一個技術裡。
新型成像儀採用imec的TDI CCD-in-CMOS技術製造,該技術將CCD TDI像素和CMOS讀數結合在一個技術裡。

新型成像儀採用imec的TDI CCD-in-CMOS技術製造,該技術將CCD TDI像素和CMOS讀數結合在一個技術裡。此種整合可以在單線掃描成像儀上實現低雜訊,高靈敏度的TDI性能,以及低功耗,在晶片上整合快速複雜的電路讀出。

透過採用imec的背面照明技術與專用抗反射塗層結合,取得紫外線的靈敏度。 通過背面照明,光從背面直接進入成像器,大幅提高了圖像傳感器的量子效率。靠著增加一個針對UV抗反射的塗層,在250-400nm的近UV區域中達到超過70%的高峰值量子效率。

而對小於可見光波長的高敏感度,使得成像儀能夠檢測非常小的特徵,這讓此技術特別適用於半導體檢測應用,例如光罩,晶圓和顆粒檢測。

TDI感測器是在200mm晶圓上製造,採imec CCD製程模組內置於130nm CMOS的製程流程中。這種高經濟效益的製造流程與其他晶圓級後處理技術兼容,例如光譜濾波器整合,可強化TDI性能。而其成果就是影像感測器具有高靈敏度和高速度(高達300kHz的線更新),且擁有低電耗。

imec影像感測器專案經理Maarten Rosmeulen表示,憑藉這款高速,低功耗的TDI成像儀,我們很高興能夠擴展具有UV感應功能的TDI CCD-in-CMOS影像感測器系列。我們現在可以提供在紫外和可見光範圍內具有高量子效率的TDI CCD-in-CMOS影像感測器,並實現豐富的高階應用,包括遠端感測,醫學成像和工業機器視覺。

關鍵字: 成像儀  imec 
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