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廠商提高產能 DRAM今年Q1產出量將增加
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2004年01月08日 星期四

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工商時報引述集邦科技統計指出,2003年12月全球DRAM總產出量維持小幅成長,其中美光(Micron)因製程良率獲得突破,12月份產出量成長率達18.3%。而集邦科技預估,由於日本、台灣DRAM廠在2003第4季均增加投片量,2004第1季全球DRAM產出量成長幅度將會轉大。

據集邦科技所公佈的統計數據,2003年12月全球DRAM產出約達2億9600萬顆256Mb約當顆粒,較11月份成長6左右%。由各廠商生產情況分析,美光因0.11微米製程良率改善,12月份產出量成長達18.3%,至於德國英飛凌、韓國三星、Hynix、日本爾必達(Elpida)、以及台灣三家DRAM廠等業者,月成長率則仍介於2%至5%之間。

市場分析師指出,2003年三星、Hynix、英飛凌等業者陸續調撥DRAM產能生產NAND晶片,造成2003年下半年DRAM產出量年成長率低於2成,明顯低於過去約3至4成的成長率。但包括力晶、茂德、爾必達等業者,2003年第4季12吋廠投片量已經快速拉升,力晶第4季月投片量已拉升至2萬2000片,茂德月投片量也拉升至1萬片以上。

分析師指出,因為新產能會在1月份開出,因此預估1月份DRAM產出量會有明顯成長,第1季全球DRAM產出成長率將會明顯放大,若市場需求復甦動能未能順利跟上,市場供給過剩現象恐會持續壓抑價格。

關鍵字: DRAM  動態隨機存取記憶體 
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