根據工商時報報導，DRAM主流規格由256Mb DDR轉換至512Mb DDR2，八吋廠的生產成本優勢已失，十二吋廠成為各家DRAM廠卡位市佔率的重要籌碼，因此雖然今年DRAM價位不佳，但各家業者仍積極擴建十二吋廠生產線。根據集邦科技統計，今年第一季末全球DRAM廠十二吋廠月產能合計24萬6000片，但至今年底就會擴增至41萬1000片，成長率達67％。

雖然八吋廠去年成功將製程由0.14微米世代微縮至0.11微米世代，但是原本認為應該在半年內完成的製程轉換，卻拖延近一年才完成，而且就單位產出成本及良率來看，八吋廠具有的優勢，已經明顯較十二吋廠為差。

而今年DDR規格將轉換至DDR2，晶片容量也將由256Mb轉換至512Mb，世代交替下讓DRAM廠面臨的成本競爭壓力更大，所以各家DRAM廠今年投資重點，全數放在十二吋廠部份。

根據集邦科技及各家DRAM廠公佈資料，今年第一季底全球DRAM廠的十二吋廠月產能總計將近25萬片，今年當中，三星、Hynix、英飛凌及南亞科合資的十二吋廠華亞科技、力晶、中芯等五家廠商，在擴大十二吋廠投片量最為積極，所以若各家DRAM廠順利建置完生產線，至今年底為止，全球十二吋廠月產能總計將超過41萬片，成長率高達67％。

當然各家DRAM廠雖然擴建十二吋廠，但DRAM市場在供給過剩壓力下，2月以來價格一路下跌，至今256Mb DDR價位約為2.3美元，已經處於低點，所以包括三星、Hynix、美光、英飛凌、力晶等，十二吋廠產能不一定全數投產DRAM，而是提高NAND快閃記憶體的投片量。

集邦科技表示，三星目前三座十二吋廠中，有一半產能將投產NAND晶片；Hynix的十二吋廠目前投產DDR2，但八吋廠大量轉投NAND晶片，今年底月產能將達10萬片，十二吋廠也將在年底以70奈米投產NAND晶片；至於力晶將以1萬片產能為瑞薩科技代工AG-AND快閃記憶體；當然英飛凌及美光也有部份產能移至生產NAND晶片。