儘管已經名列全球第一，然而在三星、英特爾等其他晶圓廠的壓力之下，台積電仍不敢稍有鬆懈，不斷發展更先進的製程技術。近期台積電已經對外宣示，其FinFET（鰭式場效電晶體）、極紫外光（EUV）等新技術研發及投產進度，已經全部進度拉前。未來在與對手的競爭上，將有更大本錢。

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其實，台積電新製程技術發展進度提前，有兩個重要意義，一是技術的研發有所突破，二是與三星及英特爾的競賽上，手上將握有更多致勝武器。

據了解，台積電原本預計2015年後才能跨入16奈米FinFET製程，但現在已確定今年底就可開始以FinFET製程試產16奈米晶圓。這也意味著明年台積電就將全面跨入16奈米FinFET世代，比起預期的時間，整整提早一年。

什麼是FinFET

FinFET稱為鰭式場效電晶體（Fin Field-Effect Transistor）是一種新的互補式金屬氧化半導體（CMOS）的電晶體種類。由於Fin是魚鰭的意思，而FinFET也就根據電晶體的形狀與魚鰭的相似性來命名。

在2011年初，英特爾公司推出了商業化的FinFET製程技術，並使用在其22奈米晶圓的量產上。從Intel Core i7-3770之後的22奈米處理器，都使用了FinFET技術。由於FinFET具有功耗低，面積小的優點，使得台積電（TSMC）等等主要晶圓代工廠也紛紛投入發展自有的FinFET電晶體技術，為下一代的行動處理器提供更快，更省電的優勢。而從2012年起，FinFET已經開始向20奈米節點和14奈米節點推進。