網站Silicon Strategies引述市調機構iSuppli報告指出,過去在不同領域各擅勝場的NAND型與NOR型快閃記憶體(Flash),將隨著手機發展愈趨先進而在手機市場上正面遭遇競爭,而NOR型晶片的市場地位將遭到NAND型的挑戰。但iSuppli亦認為,在較高階的手機應用市場,將會採取同時使用NAND型和NOR型Flash的做法。
該報導指出,現階段Flash市場分為兩大陣營,一為由英特爾(Intel)、Spansion為首,以NOR型Flash結合SRAM或PSRAM的解決方案供應商;另一派則為以三星(Samsung)、東芝(Toshiba)為首,主打NAND型Flash結合SDRAM的解決方案供應商。幕欠今手機多以NOR型Flash儲存程式碼,並由SRAM或PSRAM擔任緩衝工作記憶體。
但當手機技術推進到2.5G或3G時,新一代手機將不僅以通訊為主,尚可能支援MP3播放器、PDA、數位相機等功能,在數據執行、儲存需求雙雙提升的情況下,手機對記憶體的需求亦有改變,屆時NAND型Flash在手機市場,反而會變得相當吃香,相較之下,以手機為殺手級應用領域的NOR型Flash,自然比較吃虧。
但iSuppli仍預測,NAND型和NOR型晶片未來並不會有任何一方寡佔市場,因就成本和效能考量,NAND型和NOR型各有優勢。NAND型Flash成本較為低廉,就功能來看,兼具數據和程式碼儲存的功能,惟數據轉換至SDRAM的速度有延遲(delay)的狀況,且能源消耗較多,此為現NAND型Flash在手機市場較不受青睞的原因。