根據英飛凌科技近期發布的《2026年GaN技術展望》，氮化鎵（GaN）正快速從新興材料轉變為主流功率半導體技術，推動電力電子產業進入高效率、高功率密度與小型化的新階段。產業分析顯示，全球GaN功率半導體市場預計在2030年達到約30億美元，2025至2030年間的年複合成長率（CAGR）高達44%，顯示市場正處於高速擴張期。

氮化鎵在2030年市場規模上看30億美元

英飛凌在報告中指出，GaN應用已開始在市場落地，並在多個產業獲得關注。整體而言，GaN的快速成長主要來自兩大趨勢：一是大規模產能擴張降低成本門檻，二是高效率電源需求在AI、電動車與再生能源領域持續攀升。

從技術角度來看，GaN之所以被視為下一世代功率半導體關鍵材料，在於其物理特性優於傳統矽（Si）。GaN具備更高的電子遷移率與臨界電場強度，能在更高開關頻率下運作，同時降低導通與開關損耗。這意味著電源系統可設計得更小、更輕、更高效，有助於節能減碳並提升系統整體效能。

在應用市場方面，資料中心正成為GaN的重要成長引擎。隨著AI運算負載激增，電力需求與散熱壓力同步上升，GaN電源可提高轉換效率並提升功率密度，減少能源浪費與冷卻需求，支援更緊湊、高效的資料中心架構。部分新型GaN電源拓撲甚至可將功耗降低高達30%，對大型AI基礎設施具有顯著意義。

電動車（EV）與再生能源同樣是GaN的關鍵應用場域。在電動車的車載充電器、電源管理與馬達驅動系統中，GaN可實現更高頻率運作，使被動元件更小、系統更輕，進而提升續航與整體效率。在光伏逆變器與儲能系統中，GaN的高頻特性也有助於提升能源轉換效率，支撐能源轉型與綠色電力發展。

此外，GaN正逐步滲透至新興領域，包括機器人、自動化設備與量子運算周邊電源。在人形機器人與精密運動控制系統中，GaN馬達驅動可縮小體積、提升動態響應，讓機器人運動更精準且節能。

英飛凌的報告也提到，隨著製程成熟與300毫米晶圓量產技術推進，GaN將逐步走向規模化應用，涵蓋消費電子、工業與汽車領域。雖然目前市場仍在成長初期，但從產業趨勢來看，GaN正逐步成為支撐下一世代電氣化、智慧化與低碳化基礎設施的關鍵技術。