追求高效率的高功率應用持續往更高功率密度及成本最佳化發展，也為電動車等產業創造了永續價值。為了應對相應的挑戰，英飛凌今日宣布其高壓MOSFET適用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻（TSC）封裝已成功註冊為JEDEC標準。

英飛凌今日宣布其高壓MOSFET適用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻（TSC）封裝已成功註冊為JEDEC標準

這項舉措不僅進一步鞏固了英飛凌將此標準封裝設計和外型的TSC封裝推廣至廣泛新型設計的目標，亦提供OEM製造商更多的彈性與優勢，在市場中創造差異化的產品，並將功率密度提升至更高水準，以支援各種應用。

?

英飛凌高電壓封裝首席工程師Ralf Otremba表示：「身為解決方案供應商，英飛凌持續透過創新的封裝技術和製程，對半導體產業發揮影響力。我們先進的頂部冷卻封裝為裝置和系統層級帶來顯著優勢，滿足尖端高功率設計的挑戰性需求。封裝外形標準化可確保不同廠商設計的針腳相容性，這是OEM廠商在高電壓應用所面對的主要設計考量之一，由此讓OEM廠商不再需要在這一方面費心。」

50多年來，JEDEC組織持續領導全球微電子產業進行各種技術，包括封裝外型的開放式標準的開發以及出版品工作。JEDEC廣納各種半導體封裝，例如TO220和TO247通孔裝置THD）這類裝置在過去幾十年來受到廣泛採用，目前仍是新型車載充電器（OBC）設計、高壓 （HV）和低壓（LV）DC-DC轉換器的設計選項。

QDPAK和DDPAK表面黏著（SMD）TSC封裝設計的成功註冊，意謂著封裝外形將迎來嶄新紀元，將推動市場更廣泛地採用TSC技術以取代TO247和TO220。憑藉這一技術優勢以及根據MO-354標準，此項新JEDEC註冊封裝系列將成為高壓工業和汽車應用過渡至下一代平台中頂部冷卻設計的重要推手。

為了協助客戶進行TO220和TO247 THD裝置的設計過渡，英飛凌特別推出可提供同等散熱能力與較佳電氣效能的QDPAK和DDPAK SMD裝置。

適用於HV與LV裝置的QDPAK和DDPAK SMD TSC封裝採用2.3 mm標準高度，可讓開發人員使用所有相同高度的 SMD TSC 裝置來設計完整應用，例如OBC和DC-DC轉換。相較於必須使用3D冷卻系統的現有解決方案，此封裝不只對設計更有利，還可降低冷卻系統成本。

?

此外，TSC封裝最多可比標準底層冷卻（BSC）降低35%的熱阻。TSC封裝充分發揮PCB雙面的效益，可提供較佳的電路板空間利用率以及至少兩倍的功率密度。由於封裝引腳熱阻比外露的封裝頂部高了許多，因此基板的熱解耦也可提升封裝的熱管理。

散熱效能提升後，就不必再堆疊各種不同板子。所有元件只要單一FR4就足夠，不用結合FR4和IMS，需要的接頭也較少。這些功能對整體物料清單（BOM）都有助益，最終可降低整體系統成本。

除了提升散熱和功率能力，TSC技術也提供最佳化的電源迴路設計，因為驅動器配置可以非常靠近電源開關，所以更加穩定。驅動器開關迴路的低雜散電感則可降低迴路寄生效應，因此閘極振盪較少、效能較高、故障風險較小。