Crolles2聯盟日前公佈了一份在京都舉辦的VLSI會議(VLSI Symposium)文件，描述使用傳統大量CMOS製程技術與45奈米設計規則，在量產條件下建構面積小於0.25平方微米的6電晶體結構SRAM單元。

Crolles2是由飛思卡爾半導體、飛利浦、ST共同組成的聯盟。其位於法國Crolles的300mm試產線曾製造出1.5Mbit陣列。此次合作發佈的文件再次展示了該聯盟作為業界領先的65奈米及45奈米CMOS設計節點之最大研發聯盟的成功地位。

飛思卡爾的Claudine Simson、飛利浦的Rene Penning de Vries，以及ST的Laurent Bosson三位聯盟首席技術長表示：“以我們的創新與技術領先為基礎，我們已成功地展示了在45奈米節點生產功能電路與超高密度SRAM單元的能力。”這個先進的Crolles2晶圓廠生產線已開始試產300mm晶圓的90奈米CMOS元件，並預計在2005年生產65奈米CMOS的原型。而最新發佈的45奈米技術，則是邁向新一代量產製程技術的關鍵。