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英飛凌 CoolGaN e-mode HEMT 獲 Computex Best Choice Award 類別獎
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2019年05月21日 星期二

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英飛凌科技今日宣布,旗下氮化鎵功率元件CoolGaN e-mode HEMT 系列憑藉其高功率密度、同級最佳效率及降低系統成本等優勢,榮獲 2019年度Computex BC Award 類別獎。同時,英飛凌也是目前市場上唯一一家專注於高壓功率器件,涵蓋矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)材料的全方位供應商。

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英飛凌CoolGaN e-mode HEMT 採用常閉式( norm-OFF) 概念,不僅讓設計人員容易導入,同時也實現快速開通和關斷。CoolGaN 開關具極低的柵極電荷及反向導通狀態下的優異動態性能,能夠進而大幅提高系統工作頻率,從而透過縮小儲能及能量轉換元件的總體尺寸,提高功率密度,在相同能效下的功率密度可達140 W / in3(3 kW LLC,效率 > 98%),在相同的轉換系統尺寸中達到幾乎三倍的輸出功率,換言之,可節省更多空間。CoolGaN e-mode HEMT 支援高頻運行的應用,包括:企業與資料中心伺服器、電信整流器、適配器、充電器和無線充電設施等。

關鍵字: SiC  Infineon(英飛凌
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