根據外電消息，IBM近日對外宣佈採用SiGe（矽鍺）製程，研發出新型高速電晶體，IBM表示，採用新型SiGe材料的電晶體，其傳輸頻率達350GHz，比現代晶片速度快三倍，預計2005～2006年投入量產。

IBM表示，IBM的SiGe電晶體能使用於新一代通訊晶片，工作頻率超過150GHz，可應用於如汽車雷達碰撞系統、高性能區域網路及其它產品；SiGe電晶體超越其它化合物半導體，如砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）。

另外，今年9月Big Bear Networks宣佈，已採用IBM之SiGe技術，將其用於光電訊號處理系列異頻收發器和組件產品生產線，SiGe產品預計今年下半年出貨。

目前也有其它廠商，致力於研發新的SiGe技術。上個月摩托羅拉（Motorola）半導體產品部宣布，就其無線應用中的SiGe技術做了改進，並且推出採用第一代0.35微米 SiGe產品，而0.18微米製程將於2003年年初推出。