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三星將支出3億美元擴充DRAM產能
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2004年02月05日 星期四

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網站Silicon Strategies消息指出,為因應DRAM需求攀升,南韓三星(Samsung)電子2004年度將支出3597億韓元(約3.07億美元),用來擴充DRAM產能。分析師認為,三星在致力於Flash市場維持競爭力的同時,也將盡力守住DRAM市場霸主地位,因此有必要持續針對這些重點記憶體產品加碼投資。

三星稍早透露,2004年度資本支出將超越往常水平,達7.92兆韓元,其中,半導體總投資額將達5兆韓元(約41.8億美元)之上,此間5000~6000億韓元將作為升級生產線之用,4兆韓元用於設置12吋生產線,另4000~5000億韓元則撥為Fab 14、Fab 15興建經費。

三星近1年來考量到DRAM產品利潤遭嚴重壓縮,為維持獲利,選擇將部份DRAM產能轉為生產快閃記憶體(Flash),但這並不代表三星打算棄守DRAM市場。

關鍵字: 三星(Samsung其他記憶元件 
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