10月以來DRAM價格因市場需求未見增溫而下跌，但NAND規格快閃記憶體卻因缺貨價格飆漲，包括三星、Hynix、美光、英飛凌等DRAM大廠，均提高快閃記憶體產能。此一動作也削減了DRAM產能，市調機構iSuppli預估，今年全球DRAM位元年成長率（bit growth）只會達41％，遠低於過去七年平均60％以上的成長率。

DRAM廠歷經三年空頭行情，全球除了三星之外，其餘DRAM業者在這三年來都是鉅幅虧損，龐大的財務壓力讓DRAM廠無力興建新廠，只能依靠製程微縮增加產出。不過下半年市場景氣復甦，DRAM價格回漲至4.5美元至5美元之間，DRAM廠向資金市場籌資容易，十二吋廠新產能也陸續在十月開出，因此包括全球半導體貿易統計組織（WSTS）、迪訊（Gartner Dataquest）等市場調查機構，以及英飛凌、爾必達等DRAM業者，預估今年全球DRAM位元年成長率仍會達55％以上。

但是下半年至今，雖然DRAM市場景氣復甦，但價格未見漲飆行情，反倒是NAND快閃記憶體因供給有限、需求快速成長，缺貨情況愈趨嚴重，價格一路飆漲，全球最大DRAM與NAND快閃記憶體大廠三星電子，便大幅轉撥DRAM產能去生產快閃記憶體。

iSuppli最新DRAM研究報告中指出，NAND規格快閃記憶體需求成長速度超過市場想像，市場供給量不足造成價格大漲，製程可以互換的DRAM廠已經開始轉撥產能，投入NAND快閃記憶體市場，其中三星近期又轉換DRAM產能與新開出的十二吋廠產能，去生產價格持續上漲的快閃記憶體，這導致三星今年DRAM位元產出年成長率僅30％。在預期Hynix、英飛凌等業者也將減少DRAM產出、增加NAND快閃記憶體產出的情況下，今年全球DRAM位元年成長率將只有41％，低於市場55％以上預期，也遠低於過去七年平均60％以上的成長率。

iSuppli也在報告中指出，今年DRAM位元成長率下降，加上需求成長強度不足，預估今年全球DRAM總出貨量約達32億5000萬顆256Mb約當顆粒，若以平均價格為5.15美元計算，今年全球DRAM總市場規模僅達167億美元，較去年小幅成長8.3％。而明年DRAM市場規模雖預估有明顯成長，但來自於DRAM總產出增加，其中以今年籌得新資金所興建的十二吋DRAM廠為主，而台灣地區DRAM廠則將是重要的供給增加來源。